El Instituto Politécnico Nacional
Contribuye al desarrollo económico y social de la nación, a través de la formación integral de personas competentes; de la investigación, el desarrollo tecnológico y la innovación. Además tiene reconocimiento internacional por su calidad e impacto social.
Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8595| Título : | Ohmic contacts with palladium diffusion barrier on III-V semiconductors |
| Autor : | Diaz Reyes, Joel |
| Palabras clave : | Ohmic contacts Diffusion barriers Palladium 111-V semiconductors GaAs SIMS Transmission line method {TLM ) |
| Fecha de publicación : | 27-nov-2012 |
| Resumen : | Ohmic contacts with a palladium (Pd) diffusion barrier were formed on GaAs su bstrates. The metal contact structure consists of a gold-based-alloy /Pd/semiconductor-substrate. Characteristics of the deposited Pd fi l ms by "electroless" deposition on semiconductor-substrates are reported. SIMS analysis realized on the meta l-semiconductor st r uctures demonstrates the capability of the Pd .films to act as a diffusion barrier. Contact resistance of the ohmic contacts was measured by the transmission line method (TLM ). |
| Descripción : | article |
| URI : | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8595 |
| Aparece en las colecciones: | Artículos |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| Art. 4.pdf | 756.03 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.