1. Repositorio Digital IPN
  2. Área Central
  3. Secretaría de Investigación y Posgrado
  4. Acervo Institucional
  5. Mediateca
Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8122
Título : MODELADO EN PEQUEÑA SEÑAL DE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE NANOTUBO DE CARBÓN (TECNTC) PARA APLICACIONES EN TELECOMUNICACIONES
Autor : Dr. Enciso Aguilar, Mauro Alberto
Dr. Rodríguez Méndez, Luis Manuel
Díaz Albarrán, Luis Miguel
Palabras clave : TRANSISTOR
NANOTUBO
TECNTC
TELECOMUNICACIONES
Fecha de publicación : 14-jun-2011
Resumen : In this work we present a study of static (DC) and dynamic (AC) performance of a single carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) in a coaxial and double gate configuration, using analytical models to describe the electron transport into the CNTFET transistor, that allows determinate the device DC performance for both CNTFET. Principal characteristics in DC are obtained for three carbon nanotube diameter in the case of the coaxial CNTFET and for three gate length for the double gate CNTFET, from this study the impact of the geometrical parameters on DC response is determinate. Starting from DC analyze for both CNTFET, using the small-signal equivalent circuit model that describe AC performance and ADS software, two figures of merit intrinsic and extrinsic S21 & ft are calculated for coaxial CNTFET configuration, and intrinsic ft for double gate CNTFET, the effect of the geometrical parameters in each figure of merit are observed, at the same time the cut frequency is obtained with the small-signal equivalent circuit and compare with the intrinsic and extrinsic cut frequency analytical model.
Descripción : En este trabajo se presenta un estudio del comportamiento est´atico (DC) y din´amico (AC) para TECNTC en configuraci´on coaxial y en compuerta central usando modelos anal´ıticos que describen el transporte electr´onico en ambas estructuras, lo que permite determinar el comportamiento en DC para los dos TECNTC. Se obtienen las caracter´ısticas en DC de un TECNTC coaxial para 3 di´ametros de nanotubo y para un TECNTC de doble compuerta para 3 longitudes de compuerta, de este estudio se determina que el cambio en los par´ametros geom´etricos afectan la respuesta en DC en cada uno de los TECNTC. Partiendo del an´alisis en DC de los 2 TECNTC, con el uso de un modelo el´ectrico en peque˜na se˜nal que describa adecuadamente la respuesta din´amica (AC) en los TECNTC y utilizando el software ADS, calculamos 2 figuras de m´erito S21 & ft intr´ınsecas y extr´ınsecas para el TECNTC coaxial y la ft intr´ınseca para el TECNTC de doble compuerta para diferentes puntos de polarizaci´on, en donde observamos un cambio significativo al variar el di´ametro y la longitud de compuerta sobre cada una de las figuras de m´erito y al mismo tiempo realizamos una comparaci´on de las frecuencias de corte obtenidas con el modelo el´ectrico y la expresi´on anal´ıtica de la frecuencia de corte intr´ınseca y extr´ınseca.
URI : http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8122
Aparece en las colecciones: Mediateca

Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
Modelado en Pequeña Señal de un Transistor de Efecto de Campo de Nanotubo de Carbón (TECNTC) para.pdfMODELADO EN PEQUEÑA SEÑAL DE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE NANOTUBO DE CARBÓN (TECNTC) PARA APLICACIONES EN TELECOMUNICACIONES6.38 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir
Mostrar el registro Dublin Core completo del ítem


Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.