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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorDr. Enciso Aguilar, Mauro Alberto-
dc.contributor.advisorDr. Rodríguez Méndez, Luis Manuel-
dc.contributor.authorDíaz Albarrán, Luis Miguel-
dc.date.accessioned2012-11-13T21:56:31Z-
dc.date.available2012-11-13T21:56:31Z-
dc.date.issued2011-06-14-
dc.identifier.urihttp://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/8122-
dc.descriptionEn este trabajo se presenta un estudio del comportamiento est´atico (DC) y din´amico (AC) para TECNTC en configuraci´on coaxial y en compuerta central usando modelos anal´ıticos que describen el transporte electr´onico en ambas estructuras, lo que permite determinar el comportamiento en DC para los dos TECNTC. Se obtienen las caracter´ısticas en DC de un TECNTC coaxial para 3 di´ametros de nanotubo y para un TECNTC de doble compuerta para 3 longitudes de compuerta, de este estudio se determina que el cambio en los par´ametros geom´etricos afectan la respuesta en DC en cada uno de los TECNTC. Partiendo del an´alisis en DC de los 2 TECNTC, con el uso de un modelo el´ectrico en peque˜na se˜nal que describa adecuadamente la respuesta din´amica (AC) en los TECNTC y utilizando el software ADS, calculamos 2 figuras de m´erito S21 & ft intr´ınsecas y extr´ınsecas para el TECNTC coaxial y la ft intr´ınseca para el TECNTC de doble compuerta para diferentes puntos de polarizaci´on, en donde observamos un cambio significativo al variar el di´ametro y la longitud de compuerta sobre cada una de las figuras de m´erito y al mismo tiempo realizamos una comparaci´on de las frecuencias de corte obtenidas con el modelo el´ectrico y la expresi´on anal´ıtica de la frecuencia de corte intr´ınseca y extr´ınseca.es
dc.description.abstractIn this work we present a study of static (DC) and dynamic (AC) performance of a single carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) in a coaxial and double gate configuration, using analytical models to describe the electron transport into the CNTFET transistor, that allows determinate the device DC performance for both CNTFET. Principal characteristics in DC are obtained for three carbon nanotube diameter in the case of the coaxial CNTFET and for three gate length for the double gate CNTFET, from this study the impact of the geometrical parameters on DC response is determinate. Starting from DC analyze for both CNTFET, using the small-signal equivalent circuit model that describe AC performance and ADS software, two figures of merit intrinsic and extrinsic S21 & ft are calculated for coaxial CNTFET configuration, and intrinsic ft for double gate CNTFET, the effect of the geometrical parameters in each figure of merit are observed, at the same time the cut frequency is obtained with the small-signal equivalent circuit and compare with the intrinsic and extrinsic cut frequency analytical model.es
dc.language.isoeses
dc.subjectTRANSISTORes
dc.subjectNANOTUBOes
dc.subjectTECNTCes
dc.subjectTELECOMUNICACIONESes
dc.titleMODELADO EN PEQUEÑA SEÑAL DE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE NANOTUBO DE CARBÓN (TECNTC) PARA APLICACIONES EN TELECOMUNICACIONESes
dc.typeThesises
dc.description.especialidadMaestro en Ciencias en Ingeniería de Telecomunicacioneses
dc.description.tipoPDFes
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Modelado en Pequeña Señal de un Transistor de Efecto de Campo de Nanotubo de Carbón (TECNTC) para.pdfMODELADO EN PEQUEÑA SEÑAL DE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE NANOTUBO DE CARBÓN (TECNTC) PARA APLICACIONES EN TELECOMUNICACIONES6.38 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir
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