Crecimiento y Caracterización Estructural de Películas Semiconductoras de InAsSb para Aplicaciones en el Infrarrojo

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Título :	Crecimiento y Caracterización Estructural de Películas Semiconductoras de InAsSb para Aplicaciones en el Infrarrojo
Palabras clave :	peliculas semiconductoras
Fecha de publicación :	16-ene-2013
Editorial :	Instituto Politecnico Nacional
Descripción :	En este primer periodo se encontraron las condiciones experimentales para obtener por la técnica de crecimiento de Epitaxia en Fase Liquida (EFL) películas semiconductoras de InAs1-x Sbx sobre sustratos de GaSb a una temperatura de 496 °C. usando la misma concentración liquida de arsénico. Se estudio la influencia que el grado de supersaturación ΔΤ ejerce sobre las características del crecimiento. Con espectroscopia de Rayos X de alta resolución se midió la separación atómica de la película y del sustrato. Encontramos que existe la tendencia por parte de la solución liquida de In-As-Sb de disolver el sustrato de GaSb. Para evitar la disolución, experimentamos diversos crecimientos aumentando el grado de supersaturación a valores entre 10 a 30 °C, Obtuvimos valores para el parámetro de acoplamiento Δa/a entre película y sustrato mayores que 2.9 x10-3. Observamos que la disolución solo disminuye cuando Δa/a es positivo. Articulo en extenso en memoria de simposio Instituto Politecnico Nacional. UASLP
URI :	http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11091
Otros identificadores :	978-07-414-022-4 http://hdl.handle.net/123456789/600
Aparece en las colecciones:	Doctorado

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