Caracterización por Fotorreflectancia de Aleaciones Semiconductoras Cuaternarias de GaInAsSb impurificadas con Telurio

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10856

Título :	Caracterización por Fotorreflectancia de Aleaciones Semiconductoras Cuaternarias de GaInAsSb impurificadas con Telurio
Palabras clave :	fotorreflectancia aleaciones semiconductoras telurio
Fecha de publicación :	16-ene-2013
Editorial :	Instituto Politecnico Nacional
Descripción :	Se crecieron películas epitaxiales del compuesto semiconductor GaInAsSb por la técnica de Epitaxia en Fase Liquida a una temperatura de 525 °C, agregando pequeñas cantidades de Sb2Te3 conseguimos impurificar las películas con una concentración de electrones en el rango de 3x1017 a 6x1018 cm-3. Las películas fueron caracterizadas por Fotorreflectancia en infrarrojo (FRIR) en función de la temperatura. Los espectros de FRIR muestran que la alta impurificación con Te genera un corrimiento de la energía de banda prohibida a valores mayores. Del ajuste al modelo de tercera derivada de Aspnes encontramos que la energía de banda prohibida a 20 °K varía de 639 meV para bajas concentraciones hasta 683 meV para altas concentraciones de electrones. Este corrimiento se explica como un efecto del tipo Moss-Burstein Articulo en extenso de memoria de Simposio Instituto Politecnico Nacional, CONACYT, CINVESTAV, ICyTDF
URI :	http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10856
Otros identificadores :	978-607-414-155-9 http://hdl.handle.net/123456789/364
Aparece en las colecciones:	Doctorado

Ficheros en este ítem:

Fichero	Descripción	Tamaño	Formato
IV STA p36-37.pdf		69.44 kB	Adobe PDF	Visualizar/Abrir

El Instituto Politécnico Nacional