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http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10856Registro completo de metadatos
| Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
|---|---|---|
| dc.creator | Arias Ceron, J.S. | - |
| dc.creator | Bravo Garcia, Y.E. | - |
| dc.creator | Herrera Perez, J.L. | - |
| dc.creator | Rodriguez Fragoso, P. | - |
| dc.creator | Sánchez Sinencio, F. | - |
| dc.creator | Mendoza Alvarez, J.G. | - |
| dc.date | 2012-03-26T19:35:37Z | - |
| dc.date | 2012-03-26T19:35:37Z | - |
| dc.date | 2009-12 | - |
| dc.date.accessioned | 2013-01-16T10:31:40Z | - |
| dc.date.available | 2013-01-16T10:31:40Z | - |
| dc.date.issued | 2013-01-16 | - |
| dc.identifier | 978-607-414-155-9 | - |
| dc.identifier | http://hdl.handle.net/123456789/364 | - |
| dc.identifier.uri | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10856 | - |
| dc.description | Se crecieron películas epitaxiales del compuesto semiconductor GaInAsSb por la técnica de Epitaxia en Fase Liquida a una temperatura de 525 °C, agregando pequeñas cantidades de Sb2Te3 conseguimos impurificar las películas con una concentración de electrones en el rango de 3x1017 a 6x1018 cm-3. Las películas fueron caracterizadas por Fotorreflectancia en infrarrojo (FRIR) en función de la temperatura. Los espectros de FRIR muestran que la alta impurificación con Te genera un corrimiento de la energía de banda prohibida a valores mayores. Del ajuste al modelo de tercera derivada de Aspnes encontramos que la energía de banda prohibida a 20 °K varía de 639 meV para bajas concentraciones hasta 683 meV para altas concentraciones de electrones. Este corrimiento se explica como un efecto del tipo Moss-Burstein | - |
| dc.description | Articulo en extenso de memoria de Simposio | - |
| dc.description | Instituto Politecnico Nacional, CONACYT, CINVESTAV, ICyTDF | - |
| dc.language | es | - |
| dc.publisher | Instituto Politecnico Nacional | - |
| dc.subject | fotorreflectancia | - |
| dc.subject | aleaciones semiconductoras | - |
| dc.subject | telurio | - |
| dc.title | Caracterización por Fotorreflectancia de Aleaciones Semiconductoras Cuaternarias de GaInAsSb impurificadas con Telurio | - |
| dc.type | Article | - |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado | |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| IV STA p36-37.pdf | 69.44 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
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