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http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10968| Título : | Influence of hexagonal-shaped surface pits on optical and structural properties of GaN epilayers grown on Al2O3 substrates by MOCVD |
| Fecha de publicación : | 16-ene-2013 |
| Editorial : | Instituto Politecnico Nacional |
| Descripción : | GaN films grown on (0001) sapphire substrates in a low pressure MOCVD quartz reactor at low temperature (~900 º C), were characterized by atomic force microscopy, secondary electron microscopy, micro-Raman, X-ray diffraction, and ellipsometry both spectral and at fixed wavelength. Articulo en extenso en memoria de simposio. Instituto Politecnico Nacional |
| URI : | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10968 |
| Otros identificadores : | 978-607-414-014-9 http://hdl.handle.net/123456789/481 |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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