Difracción de rayos-X de capas de AlGaSb crecidas sobre sustratos con orientación cristalográfica (001) y (111)

Abstract

Se crecieron capas semiconductoras de AlxGa1-xSb por la técnica de epitaxia en fase líquida a 400 °C sobre sustratos de GaSb con orientación cristalográfica (001) y (111). La composición de las capas mostró un contenido de aluminio entre x=0.05 y x=0.36. Resultados de dispersión Raman muestran corrimientos en frecuencia asociados a las vibraciones de red de los modos ópticos Ga–Sb y Al–Sb, así como su dependencia con la composición y con la orientación cristalográfica de las capas ternarias. Se observó la presencia del modo LO–GaSb para las capas crecidas en la dirección (001), mientras que para las capas con dirección (111) el modo TO–GaSb fue el más intenso, de acuerdo a las reglas de selección de sistemas con estructura cúbica. Mediciones de difracción de rayos-X de alta resolución muestran la presencia de capas ternarias totalmente estresadas, siendo la componente del estrés perpendicular a la superficie de la capa ligeramente mayor para las capas crecidas en la dirección (001) que para las crecidas en la dirección (111). Este hecho se debe a la dependencia de la razón de esfuerzos perpendicular y paralelo a la superficie de la capa ternaria con la dirección de crecimiento.