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http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/13772| Título : | CRECIMIENTO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS BICAPA CdSe/CALIX[n]ARENO |
| Autor : | DRA. HERNÁNDEZ PÉREZ, MARÍA DE LOS ÁNGELES DR. ALFARO HERNÁNDEZ, SALVADOR ING. ANDRACA BARRÓN, MANUEL |
| Palabras clave : | PELÍCULAS BICAPA CALIX[n]ARENO CdSe |
| Fecha de publicación : | 5-oct-2011 |
| Resumen : | In this thesis, were studied thin films of cadmium selenide (CdSe) deposited on glass substrates at constant temperatures of 40, 60 and 80 °C with stoichiometric ratios with respect to Selenium and Cadmium (Cd/Se) equal to 1. The growth of CdSe thin films was performed by chemical bath deposition (CBD). The CdSe was formed by reacting solutions of Cadmium Chloride (CdCl2) and Sodium Selenosulfito (Na2SeSO3) in presence of Ammonium Hydroxide (NH4OH) as complexing agent and pH regulator. CdSe films were grown at different times, to a thickness sufficient for the analysis of their properties. The techniques of characterization of the films were: "X" Ray Diffraction (XRD), Atomic Force Microscopy (AFM) and UV-VIS spectroscopy. The XRD analysis shows that CdSe films have a cubic crystal structure when formed at low temperatures and mixing hexagonal and cubic crystal structure with increasing reaction temperature. AFM images show that the films obtained are of a rough surface with particles of different size and arrangement, in no particular arrangement, although it is appreciated that there is an increase in size with increasing temperature. The results of UV-VIS absorption allowed to calculate the wide band gap value (Eg) of CdSe films, confirming that it can be controlled by varying the temperature at which the reaction takes place in the chemical bath, since decreases as temperature increases. After the deposition of CdSe films, it was add a layer of Calix[n]arene (n = 4, 6 and 8) by laser ablation (PLD). Infrared Characterization of films was made to confirm that the chemical structure of Calix[n]arenes is not altered by interaction with laser. AFM images confirm that this film is Calix[n]arene. Using UV-VIS absorption was obtained wide band gap value of the bilayer film, as compared to the values of the CdSe film layer is confirmed that the three Calix[n]arenes causes the shift of the edge of absorption at shorter wavelengths. |
| Descripción : | En el presente trabajo de tesis, fueron estudiadas películas delgadas de Selenuro de Cadmio (CdSe) que se depositaron sobre substratos de vidrio a temperatura constante de 40, 60 y 80°C con relaciones estequiométricas del cadmio con respecto al selenio (Cd/Se) igual a 1. El crecimiento de las películas delgadas de CdSe se realizó mediante depósito por baño químico (CBD, por sus siglas en inglés). El CdSe se formó al hacer reaccionar soluciones de Cloruro de Cadmio (CdCl2) y Selenosulfito de Sodio (Na2SeSO3), en presencia de Hidróxido de Amonio (NH4OH) como agente complejante y regulador de pH. Las películas de CdSe fueron crecidas a distinto tiempo, con objeto de obtener un espesor suficiente para el análisis de sus propiedades. Las técnicas de caracterización de las películas fueron: Difracción de Rayos “X” (DRX), Microscopia de fuerza atómica (AFM, por sus siglas en inglés) y Espectroscopia UV-VIS. Los análisis por DRX muestran que las películas de CdSe tienen una estructura cristalina cúbica cuando se forman a bajas temperaturas de depósito y mezcla de hexagonal y cúbica cuando se incrementa la temperatura de la reacción. Las imágenes de AFM muestran que las películas obtenidas son de superficie rugosa con partículas de tamaño y arreglo distintos, sin seguir un acomodo en particular, aunque se aprecia que hay un incremento en su tamaño conforme aumenta la temperatura. Los resultados de absorción UV-VIS permitieron calcular el valor del ancho de banda prohibida (Eg) de las películas de CdSe, confirmando que este valor puede controlarse al variar la temperatura a la cual se lleva a cabo la reacción en el baño químico, puesto que disminuye cuando la temperatura aumenta. Posterior al depósito de las películas de CdSe, se les agregó una capa de Calix[n]areno, (n= 4, 6 y 8) por medio de Ablación Láser (PLD, por sus siglas en inglés). La caracterización por Infrarrojo realizada a las películas confirma que la estructura química de los Calix[n]arenos no se altera por interacción con el láser. Las imágenes de AFM ratifican que está presente la película de Calix[n]areno. Por medio de absorción UV-VIS se obtuvo el valor de ancho de banda prohibida de las película bicapa, al compararlos con los valores de la película de CdSe se confirma que la capa de los tres Calix[n]arenos provoca el corrimiento del canto de absorción hacia menores longitudes de onda. |
| URI : | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/13772 |
| Aparece en las colecciones: | Mediateca |
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