Estudio de la Absorción Óptica en Silicio Poroso Tipos n y p Elaborados MedianteAtaque Electroquímico: Efecto de los Parámetros de Crecimiento (Tiempo de Ataquey Valores I-V)

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Título :	Estudio de la Absorción Óptica en Silicio Poroso Tipos n y p Elaborados MedianteAtaque Electroquímico: Efecto de los Parámetros de Crecimiento (Tiempo de Ataquey Valores I-V)
Palabras clave :	Estudio de la Absorcion optica Efectos de los parametros de crecimiento
Fecha de publicación :	16-ene-2013
Editorial :	Instituto Politecnico Nacional
Descripción :	En este trabajo se busca optimizar mediante los parámetros de crecimiento, las características de absorción óptica de muestras de silicio poroso n y p en la región visible del espectro electromagnético y evaluar sus posibles aplicaciones como material fototérmico en la conversión de energía solar en térmica. La elaboración de las muestras se llevará a cabo mediante la técnica de ataque electroquímico, variando el tiempo de ataque y los valores de corriente y voltaje. Este proyecto tiene como objetivo, estudiar las propiedades de absorción óptica del silicio poroso en función de los parámetros de elaboración de las muestras, además del estudio de su microestructura y propiedades térmicas y analizar su posible aplicación como material fototérmico. Articulo en extenso de memoria de Simposio Instituto Politecnico Nacional y Conacyt
URI :	http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11292
Otros identificadores :	978-607-414-214-3 http://hdl.handle.net/123456789/807
Aparece en las colecciones:	Doctorado

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