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http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10849| Título : | Caracterización Óptica y Estructural de Películas Semiconductoras de InAsSb para Aplicación en el Infrarrojo |
| Palabras clave : | peliculas semiconductoras InAsSb |
| Fecha de publicación : | 16-ene-2013 |
| Editorial : | Instituto Politecnico Nacional |
| Descripción : | sustrato el GaSb tienen una energía de gap que puede
ser obtenida entre 1.58 eV (0.8 μm) hasta 0.03 eV (4.3
μm). En este periodo nos ocupamos en crecer películas
epitaxiales basadas en aleaciones de InAs0.91Sb0.09 con
longitud de onda alrededor de 3 μm. Usamos también
las técnicas de espectroscopia raman, microscopia
electrónica de barrido (SEM) y de fuerza atómica
(AFM) así como de fotoacústica (PA); para
caracterizar sus propiedades ópticas, estructurales y la
calidad de la interface entre la película y el substrato
bajo diversas condiciones de crecimiento. Articulo en extenso de memoria de Simposio Instituto Politecnico Nacional, CONACYT |
| URI : | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10849 |
| Otros identificadores : | 978-607-414-155-9 http://hdl.handle.net/123456789/353 |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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