Caracterización Óptica y Estructural de Películas Semiconductoras de InAsSb para Aplicación en el Infrarrojo

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Registro completo de metadatos

Campo DC	Valor	Lengua/Idioma
dc.creator	Bravo Garcia, Y. E.	-
dc.creator	Mendoza Alvarez, J.	-
dc.creator	Zapata Torres, M.	-
dc.date	2012-03-26T19:10:57Z	-
dc.date	2012-03-26T19:10:57Z	-
dc.date	2009-12	-
dc.date.accessioned	2013-01-16T10:28:08Z	-
dc.date.available	2013-01-16T10:28:08Z	-
dc.date.issued	2013-01-16	-
dc.identifier	978-607-414-155-9	-
dc.identifier	http://hdl.handle.net/123456789/353	-
dc.identifier.uri	http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10849	-
dc.description	sustrato el GaSb tienen una energía de gap que puede ser obtenida entre 1.58 eV (0.8 μm) hasta 0.03 eV (4.3 μm). En este periodo nos ocupamos en crecer películas epitaxiales basadas en aleaciones de InAs0.91Sb0.09 con longitud de onda alrededor de 3 μm. Usamos también las técnicas de espectroscopia raman, microscopia electrónica de barrido (SEM) y de fuerza atómica (AFM) así como de fotoacústica (PA); para caracterizar sus propiedades ópticas, estructurales y la calidad de la interface entre la película y el substrato bajo diversas condiciones de crecimiento.	-
dc.description	Articulo en extenso de memoria de Simposio	-
dc.description	Instituto Politecnico Nacional, CONACYT	-
dc.language	es	-
dc.publisher	Instituto Politecnico Nacional	-
dc.subject	peliculas semiconductoras	-
dc.subject	InAsSb	-
dc.title	Caracterización Óptica y Estructural de Películas Semiconductoras de InAsSb para Aplicación en el Infrarrojo	-
dc.type	Article	-
Aparece en las colecciones:	Doctorado

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