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http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11508| Título : | Crecimiento y Caracterización Estructural de Películas Semiconductoras de InAsSb para Aplicación en el Infrarrojo |
| Palabras clave : | peliculas delgadas |
| Fecha de publicación : | 16-ene-2013 |
| Editorial : | Instituto Politecnico Nacional |
| Descripción : | n este periodo modificamos las condiciones de crecimiento de
las películas del compuesto ternario InAs1-x Sbx sobre sustratos
de GaSb para tener una mayor reproducibilidad en la fabricación
de las películas semiconductoras, obtener interfases planas
y mejorar el parámetro de acoplamiento Articulo en extenso en memoria de simposio Instituto Politecnico Nacional. CONACYT |
| URI : | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11508 |
| Otros identificadores : | 978-607-414-131-3 http://hdl.handle.net/123456789/1052 |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado |
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