Modelo teórico para la caracterización fotoacustica de semiconductores

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Registro completo de metadatos

Campo DC	Valor	Lengua/Idioma
dc.creator	Santoyo Morales, J. G.	-
dc.creator	Marin, E.	-
dc.date	2012-03-27T23:14:44Z	-
dc.date	2012-03-27T23:14:44Z	-
dc.date	2008-12	-
dc.date.accessioned	2013-01-16T13:14:29Z	-
dc.date.available	2013-01-16T13:14:29Z	-
dc.date.issued	2013-01-16	-
dc.identifier	978-607-414-022-4	-
dc.identifier	http://hdl.handle.net/123456789/690	-
dc.identifier.uri	http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11178	-
dc.description	Es conocido que la técnica fotoacústica (FA) permite la medición de propiedades de transporte en semiconductores [1]. En este trabajo describimos el proceso de creación y recombinación de portadores minoritarios en el sistema CdS/CdTe, que contribuyen a la generación de la señal FA. Se hace el planteamiento del sistema de ecuaciones y se muestran los resultados de mediciones preliminares.	-
dc.description	Articulo en extenso en memoria de simposio	-
dc.description	Instituto Politecnico Nacional.	-
dc.language	es	-
dc.publisher	Instituto Politecnico Nacional	-
dc.subject	caracterizacion fotoacustica	-
dc.subject	semiconductores	-
dc.title	Modelo teórico para la caracterización fotoacustica de semiconductores	-
dc.type	Article	-
Aparece en las colecciones:	Doctorado

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