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http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10814| Título : | Photothermal chacaterization of electrochemical etching porous silicon |
| Palabras clave : | Porous silicon Photothermal characterization |
| Fecha de publicación : | 16-ene-2013 |
| Editorial : | Physical Review Letters |
| Descripción : | The room temperature thermal diffusivity evolution of electrochemically formed porous silicon as a funtion of the etching time is investigated. The measurements were carried out using the open-cell photoacoustic technique. The experimental data were analized using a composite two layer model. The results obtained strongly support the existing studies indicating the presence of a hogh percentaje of SiO2 in the composition of porous silicon material. Research article of journal indexed in ISI database Instituto Politecnico Nacional and CONACYT-Mexico |
| URI : | http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/10814 |
| Otros identificadores : | 0031-9007 http://hdl.handle.net/123456789/321 |
| Aparece en las colecciones: | Doctorado |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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| 1997 PRL v79 n25 p5022.pdf | 218.42 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
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