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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.creatorArias Ceron, J. S.-
dc.creatorHerrera-Perez, J. L.-
dc.creatorMendoza-Alvarez, J.-
dc.date2012-03-29T02:07:00Z-
dc.date2012-03-29T02:07:00Z-
dc.date2009-06-
dc.date.accessioned2013-01-16T16:02:27Z-
dc.date.available2013-01-16T16:02:27Z-
dc.date.issued2013-01-16-
dc.identifier978-607-414-131-3-
dc.identifierhttp://hdl.handle.net/123456789/1088-
dc.identifier.urihttp://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11532-
dc.descriptionEn este trabajo se presenta la caracterización óptica de películas y heterouniones de aleaciones semiconductoras de GaInAsSb, crecidas epitaxialmente sobre sustratos de GaSb por medio de las técnicas de Fotoluminiscencia y Fotorreflectancia. Estas técnicas de carácter no destructivo nos permiten conocer las posibles recombinaciones radiativas existentes en la película, además nos permite determinar le energía de banda prohibida y los niveles de impurezas de películas y sustratos semiconductores.-
dc.descriptionArticulo en extenso en memoria de simposio-
dc.descriptionInstituto Politecnico Nacional. CONACYT-
dc.languagees-
dc.publisherInstituto Politecnico Nacional-
dc.subjectfotoluminiscencia-
dc.titleCaracterización Óptica de Películas Cuaternarias de GaInAsSb por Fotoluminiscencia-
dc.typeArticle-
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