Celdas fotoelectroquímicas sensibilizadas con semiconductores

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11518

Registro completo de metadatos

Campo DC	Valor	Lengua/Idioma
dc.creator	Rojas O., Pedro	-
dc.creator	Rodriguez Gattorno, G.	-
dc.creator	Aguilar Frutis, M. A.	-
dc.date	2012-03-29T01:28:59Z	-
dc.date	2012-03-29T01:28:59Z	-
dc.date	2009-06	-
dc.date.accessioned	2013-01-16T15:58:55Z	-
dc.date.available	2013-01-16T15:58:55Z	-
dc.date.issued	2013-01-16	-
dc.identifier	978-607-414-131-3	-
dc.identifier	http://hdl.handle.net/123456789/1065	-
dc.identifier.uri	http://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/11518	-
dc.description	En la elaboración de las celdas fotoelectroquímicas sensibilizadas con semiconductores (DSSC) se busca la manera de que los fotones absorbidos produzcan la mayor cantidad de portadores de carga posible por medio de un tinte que amplíe el espectro de absorción del material usado. Aunado a esto, se requiere que los portadores no sean perdidos por recombinaci anio (TiO2) lo menos porosa posible, necesaria como componente esencial de uno de sus electrodos. La técnica usada para el depósito es el rocío pirolítico (SP). Se varían las temperaturas y el tiempo de depósito con la finalidad de estudiar los cambios en el espesor de dicha capa.	-
dc.description	Articulo en extenso en memoria de simposio	-
dc.description	Instituto Politecnico Nacional. CONACYT	-
dc.language	es	-
dc.publisher	Instituto Politecnico Nacional	-
dc.subject	Celdas fotoelectroquimicas	-
dc.title	Celdas fotoelectroquímicas sensibilizadas con semiconductores	-
dc.type	Article	-
Aparece en las colecciones:	Doctorado

Ficheros en este ítem:

Fichero	Descripción	Tamaño	Formato
libro3sta_36.pdf		265.59 kB	Adobe PDF	Visualizar/Abrir

El Instituto Politécnico Nacional